Оперативная память Qumo QUM3S-4G1600K11L 4 Гб
Информация о товаре
Оперативная память Qumo QUM3S-4G1600K11L
4-гигабайтная оперативная память QUMO [QUM3U-4G1600K11L] подходит для комплектации системных блоков, материнские платы которых рассчитаны на использование памяти DDR3. Особенностью модели является пониженное (до 1.35 В) напряжение питания. Величина этого показателя на 0.15 В ниже, чем стандартное для памяти DDR3 значение. Сниженное напряжение питание (которое позволило снизить потребляемую мощность) послужило причиной соответствия рассматриваемого модуля памяти типу DDR3L.
Тактовая частота оперативной памяти QUMO [QUM3U-4G1600K11L] равна 1600 МГц. Поддерживаются и другие режимы работы, а именно – 800, 1066 и 1333 МГц.
Пропускная способность устройства – 12800 МБ/с. Это типовой показатель для памяти DDR3. Модуль соответствует таймингам 11-11-11-30. Высота модуля стандартна – 30 мм. Устройство произведено с использованием двусторонней компоновки чипов памяти. Цвет текстолита традиционный – зеленый.
Память упакована в коробку из прозрачного пластика. Упаковка украшена этикеткой, на которой размещен логотип производителя.
faq
Технические характеристики
Оперативная память Qumo QUM3S-4G1600K11L 4 Гб
Оперативная память Qumo QUM3S-4G1600K11L 4 Гб
Другое
Суммарный объем памяти всего комплекта
4
Регистровая память
нет
ECC-память
нет
Профили Intel XMP
нет
Подсветка элементов платы
нет
Латентность CAS (CL)
11
Страна производитель
Китай
Основные характеристики
Количество контактов
204
Количество модулей в комплекте
1
Объем одного модуля
4
Форм-фактор
DIMM
Напряжение питания
1.35
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тактовая частота
1600
Особенности
-
Тип
DDR3L
Тайминги
Activate to Precharge Delay (tRAS)
30
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
Дополнительно
Количество ранков
4
Количество чипов каждого модуля
16
Радиатор
нет
Высота (мм)
30